Dr. Juan Carlos Alonso Huitrón

Formación profesional

  • Licenciatura en Física. Facultad de Ciencias, UNAM, México. 1983.

  • Maestría en Ciencias (Física). Facultad de Ciencias, UNAM, México. Examen General de Conocimientos. 1985.

  • Doctorado en Ciencias (Física). Facultad de Ciencias, UNAM, México. 1991.

  • Posdoctorado. Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology,Tokio, Japón. 1992.

Líneas de investigación

  • Propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de películas delgadas semiconductoras y aislantes, depositadas por rocío pirólítico ultrasónico.

  • Propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de nanocúmulos  de silicio embebidos en películas delgadas de compuestos de silicio aislantes y semiconductores, depositada por deposito de vapor químico asistido por plasma remoto.

Google Scholar

Investigador Titular ” C ”  T.C.
PRIDE:“D”
SNI: III
Correo: alonso@unam.mx
Teléfono:  (+52) (55) 56 22 46 06
Ubicación: Edificio C
Cubículo: 214

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