Dr. Juan Carlos Alonso Huitrón
Investigador Titular " C " T.C.
PRIDE: " D "
SNI: III
PRIDE: " D "
SNI: III
FORMACIÓN PROFESIONAL
- Licenciatura en Física. Facultad de Ciencias, UNAM, México. 1983.
- Maestría en Ciencias (Física). Facultad de Ciencias, UNAM, México. Examen General de Conocimientos. 1985.
- Doctorado en Ciencias (Física). Facultad de Ciencias, UNAM, México. 1991.
- Posdoctorado. Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology,Tokio, Japón. 1992.
LINEAS DE INVESTIGACIÓN
- Propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de películas delgadas semiconductoras y aislantes, depositadas por rocío pirólítico ultrasónico.
- Propiedades optoelectrónicas y aplicaciones de nanocúmulos de silicio embebidos en películas delgadas de compuestos de silicio aislantes y semiconductores, depositada por deposito de vapor químico asistido por plasma remoto.
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